Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет

центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления

На нашем сайте вы можете скачать книгу "Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет" Виктор Мурашев в формате pdf, читать книгу онлайн или купить книгу в интернет-магазине.