Несмотря на различные природно-климатические и инженерно-геологические условия формирования, указанные грунты имеют общие закономерности (характеризуются низкой несущей способностью, R ≤ 100 кПа, высокой сжимаемостью, Е ≤ 5 МПа, длительным протеканием осадок во времени, высоким расположением уровня подземных вод и др.). Первая часть монографии составлена д. т. н., проф. Р. А. Мангушевым совместно c к. т. н., доцентом А. И. Осокиным, в которой приведены сведения о конструкциях и методах устройства фундаментов ряда исторических зданий Санкт-Петербурга, инженерно-геологические особенности территории города, типы фундаментов зданий старой и новой постройки, современные способы и технологии освоения подземного пространства мегаполиса, вопросы научно-технического сопровождения и проведения геомониторинга при строительстве и др. Вторая часть монографии составлена д. т. н., проф. Р. А. Усмановым, где рассмотрены особенности подтопления и изменения физико-механических свойств раннее маловлажных лессовых просадочных грунтов и пород, причины подтопления и водонасыщения грунтов, типовые схемы залегания слабых водонасыщнных лессовых грунтов, результаты исследований по эффективным методам подготовки оснований и устройства фундаментов на этих грунтах с учетом высокой сейсмичности территорий строительства и др. Монография предназначена для научных и инженерно-технических работников в области геотехники, а также для студентов очной и заочной формы обучения направления подготовки «Строительство», ступень – бакалавриат и магистратура, направления подготовки «Техника и технологии строительства», ступень – аспирантура. Произведение относится к жанру Образовательная литература. На нашем сайте можно скачать книгу "Устройство и реконструкция оснований и фундаментов на слабых и структурно-неустойчивых грунтах" в формате pdf или читать онлайн. Здесь так же можно перед прочтением обратиться к отзывам читателей, уже знакомых с книгой, и узнать их мнение. В интернет-магазине нашего партнера вы можете купить и прочитать книгу в бумажном варианте.